“現(xiàn)在越來越多的企業(yè)在布局第三代半導(dǎo)體公司，購置相關(guān)設(shè)備都比較緊張。”盡管設(shè)備搶手和供應(yīng)鏈短缺大環(huán)境有關(guān)，但是第三代半導(dǎo)體（也稱寬禁帶半導(dǎo)體）市場的火熱可見一斑。同時，第三代半導(dǎo)體應(yīng)用需求也在增長，隨著碳化硅（SiC）進入新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈、氮化鎵（GaN）在快充上的規(guī)?；瘧?yīng)用，第三代半導(dǎo)體逐步進入消費端和工業(yè)端，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域嶄露頭角。

    值得一提的是，碳中和相關(guān)政策正持續(xù)對第三代半導(dǎo)體發(fā)展帶來東風(fēng)，由于碳化硅和氮化鎵都有助于提升能效，企業(yè)的投入意愿也在增強。

國內(nèi)探索“直道超車”  未來5年進入整合期

    從產(chǎn)業(yè)鏈看，第三代半導(dǎo)體主要有襯底、外延、設(shè)計、制造、封測、應(yīng)用等環(huán)節(jié)，目前國外的半導(dǎo)體公司仍占據(jù)核心地位，而面對確定的市場前景，國內(nèi)的企業(yè)也蜂擁而至。

    同時，諸多專注于做第三代半導(dǎo)體的國內(nèi)公司也在成長中，比如氮化鎵功率芯片領(lǐng)域迅速增長的英諾賽科；碳化硅領(lǐng)域的基本半導(dǎo)體、天科合達、天岳先進、同光晶體等等，并且聚焦在襯底環(huán)節(jié)的企業(yè)尤其多。

碳化硅整合 氮化鎵起步

雖然相比硅市場，第三代半導(dǎo)體的市場份額還很小，現(xiàn)在主要聚焦在功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域，但是增長空間巨大。第三代半導(dǎo)體材料目前產(chǎn)業(yè)化主要集中在碳化硅和氮化鎵兩個方向，其中碳化硅應(yīng)用已有十多年，產(chǎn)業(yè)化更加成熟。

成本、良率、需求的多重挑戰(zhàn)

    碳化硅有了十多年的應(yīng)用發(fā)展，相比氮化鎵更為成熟，在和硅的競爭中，由于器件本身的特性，碳化硅替代的工藝更方便，相對而言氮化鎵難度更大。但是就在近兩三年，氮化鎵在快充這一賽道得到了驗證，650伏快充這一消費級市場起來后，產(chǎn)業(yè)迅速開始規(guī)模化，而不論良率提升還是成本下降都需要規(guī)?；瘉磉M行正循環(huán)。但是對于第三代半導(dǎo)體企業(yè)而言，依然面臨成本的挑戰(zhàn)，產(chǎn)業(yè)鏈的各個環(huán)節(jié)也在想方設(shè)法降本增效、提升良率，多位從業(yè)者向21世紀經(jīng)濟報道記者表示，隨著量產(chǎn)推進，成本將會快速下降。

    導(dǎo)入全自動化的生產(chǎn)模式后，第三代半導(dǎo)體能以更低的成本進入市場，在方子文看來，第三代半導(dǎo)體SiC和GaN是一個非常大的市場，在和硅直接做競爭，這需要產(chǎn)業(yè)鏈上下游的配合，從Performance、到放量、終端客戶驗證都需要很好的配合，才能讓SiC、GaN最終走量，進入產(chǎn)業(yè)化的進程。

    在不少業(yè)內(nèi)人士看來，第三代半導(dǎo)體在技術(shù)層面并沒有太大瓶頸，國內(nèi)外的實驗室能夠進行技術(shù)攻關(guān)，但是最關(guān)鍵的在于量產(chǎn)，這就涉及到團隊的生產(chǎn)經(jīng)驗、人才構(gòu)成等因素。生產(chǎn)之外，第三代半導(dǎo)體企業(yè)還面對著盈利、需求的考驗。

    因此，多位半導(dǎo)體資深人士也向記者談道，對于新晉企業(yè)，一定要緊貼市場需求，不能只是投資驅(qū)動發(fā)展，更需要明確出?？冢M行差異化的產(chǎn)業(yè)競爭。

（來源：21財經(jīng)）